FIB後処理用イオンミリング装置 ナノミル Model1040
NanoMillは、集束イオンビーム（FIB）加工後の処理に使用します。FIBで作製した試料は、表層のアモルファス化やガリウムイオンの注入が発生することもあり、このようなダメージ層の除去に最適な装置です。
| イオン源 | 静電レンズと組み合わせたフィラメントベースのイオン源 |
|---|---|
| ビーム径 | 約1μm |
| ビームエネルギー | 50eV～2.0keV |
| ビーム電流密度 | 最大8mA/cm2 ファラデーカップにより1pA～2,000pAのビーム電流を測定 |
| 試料ステージ | ロードロック機構により10秒以内に試料の交換が可能 |
| ミリング角度 | 0°～±10° |
| イメージング | SED（二次電子検出器）を使用したイメージング 視野3mm×3mm 試料を観察しながらミリング位置をピンポイントで設定 |
アルゴンイオン研磨装置 PIPSⅡ
日常的な材料から、最先端材料まであらゆる状況で最高の試料作製を可能にし、操作はタッチパネルによるGUI方式を採用し、レシピ機能等も搭載され驚くほど迅速・容易に行えます。
| イオン銃 | 低エネルギー集束電極 ペニング形イオン銃2式 |
|---|---|
| 試料サイズ | 3mm |
| 試料回転 | 1～6rpm まで可変 |
| ステージの温度調整 | （-120℃～+25℃） |
| 薄膜試料作製 | Digital Micrographでの画像取り込み |
クロスセクションポリッシャー IB-09020CP
試料面上にセットされた遮蔽板にイオンビームを垂直に照射し、イオン照射を受けエッチングされる領域と、遮蔽板で遮断される領域の境界に沿って断面を形成させる試料作製装置です。操作パネルにて試料加工状態を観察できます。
| イオン加速電圧 | 2 ～ 6kV |
|---|---|
| イオンビーム径半値幅 | 500μm（加速電圧：6kV、試料：Si） |
| ミリングスピード | 100μm/H以上（2時間の平均値、加速電圧：6kV、試料：Si、エッジ距離：100μm） |
| 最大搭載試料サイズ | 幅11mm×長さ10mm×厚さ2mm |
常温・凍結切片作製用 ウルトラミクロトーム Leica EM UC7
常温・凍結切片作製用
ウルトラミクロトームは、光学顕微鏡（LM）、電子顕微鏡（EM）、および原子間力顕微鏡（AFM）の観察で要求される高品質な超薄切片の作製、高い面精度の断面作製に活用できます。
低加速イオン研磨装置 Gentle Mill Model IV5
- 基本仕様：加速電圧0.1～2kV
- 試料傾斜角：0～45°
- 用途：ダメージ層の除去
ダイヤモンドワイヤーソー
| ワイヤー 間隔サイズ | 60mm ワイヤー切断安全スイッチ実装 |
|---|---|
| ワイヤー種類 | ワイヤー径：φ100～300μm ダイヤモンド粒径：20～60μm |
| 試料ホルダー | ラックアンドピニオン標準装備 |
| 試料台 | セラミックφ30mmプレート |
| 推奨サンプル サイズ | 30 × 30 × 10 mm以下 |
| 電圧 |
220V、AC：50～60Hz
|
JCM-6000Plus NeoScope™ ネオスコープ 卓上走査電子顕微鏡
＜高真空モード＞
二次電子像（E.T検出器）＊1
反射電子像（組成、凸凹、立体像 半導体検出器）
＜低真空モード＞
反射電子像（組成、凸凹、立体像 半導体検出器）
＊1 E.T : Everhart Thomley
| 加速電圧 | 5、10、15kV（GUIより3段切替） 二次電子像（5、10、15kV選択） 反射電子像（10kV、15kV選択） |
|---|---|
| 試料ホルダー | 25mm∅ × 44mmh 試料ホルダー（WD10〜30mm用） 70mm∅×7mmh 試料ホルダー（WD10〜56mm用） |
| 最大試料サイズ | 大きさ 最大70mm∅、高さ 最大50mm |
カーボンコーター
高純度炭素繊維使用
コード時間：1.95秒
プラズマ放電時間：15秒
コード時間：1.95秒
プラズマ放電時間：15秒
オスミウムコーター
| 型式 | Neoc-Pro |
|---|---|
| チャンバー寸法 | ∅150 × 70mm |
| 試料台 装填可能個数 |
∅15mm × 6個 ∅10mm × 30個 |
- TEM用イオンミリング装置 TEM Mill Model1050
- 卓上走査電子顕微鏡 JCM-6000Plus NeoScope
- ホットプレート 等
その他 試料作製装置群 ※ARIM事業登録装置ではありませんが、利用可能です。
透過電子顕微鏡用の薄膜試料作製装置を各種取りそろえています。
ダイヤラップ ML-150P
コンパクトな設計で狭い実験室にも設置可能な卓上研磨機です。
小型試料の鏡面研磨やTEM用薄片の準備研磨に適しております。
ディンプルグラインダー656型
試料研磨ホイール径 10,15,20mmφ
試料研磨ホイール回転速度 0～600rpm 連続可変
試料研磨加重 0～40g 連続可変
試料台回転速度 10rpm
初期試料厚さ 200μm以下
自動停止感度 1μｍ
イオンスライサEM-09100IS
| イオン加速電圧 | 1〜8kV |
|---|---|
| 傾斜角 | 最大±6°（0.1°ステップ） |
| ビーム径 | 500μm（FWHM） |
| エッチングレート | 5μm/min（加速電圧：8kV、Si換算） |
| 使用ガス | アルゴンガス |
| 試料サイズ | 2.8mm（長さ）×0.5mm（幅）×0.1mm（厚さ） |
| 圧力測定 | ぺニング真空計 |
| 主排気装置 | ターボ分子ポンプ |
| CCDカメラ | 内蔵 |
| 寸法・質量 | 本体 500mm（W）×600mm（D）×542mm（H）、63kg ロータリーポンプ 150mm（W）×427mm（D）×230.5mm（H）、16kg 液晶ディスプレイ 326mm（W）×173mm（D）×380mm（H）、3.7kg |
