FIB後処理用イオンミリング装置 ナノミル Model1040

NanoMillは、集束イオンビーム(FIB)加工後の処理に使用します。FIBで作製した試料は、表層のアモルファス化やガリウムイオンの注入が発生することもあり、このようなダメージ層の除去に最適な装置です。
イオン源 | 静電レンズと組み合わせたフィラメントベースのイオン源 |
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ビーム径 | 約1μm |
ビームエネルギー | 50eV~2.0keV |
ビーム電流密度 | 最大8mA/cm2 ファラデーカップにより1pA~2,000pAのビーム電流を測定 |
試料ステージ | ロードロック機構により10秒以内に試料の交換が可能 |
ミリング角度 | 0°~±10° |
イメージング | SED(二次電子検出器)を使用したイメージング 視野3mm×3mm 試料を観察しながらミリング位置をピンポイントで設定 |
アルゴンイオン研磨装置 PIPSⅡ

日常的な材料から、最先端材料まであらゆる状況で最高の試料作製を可能にし、操作はタッチパネルによるGUI方式を採用し、レシピ機能等も搭載され驚くほど迅速・容易に行えます。
イオン銃 | 低エネルギー集束電極 ペニング形イオン銃2式 |
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試料サイズ | 3mm |
試料回転 | 1~6rpm まで可変 |
ステージの温度調整 | (-120℃~+25℃) |
薄膜試料作製 | Digital Micrographでの画像取り込み |
クロスセクションポリッシャー IB-09020CP

試料面上にセットされた遮蔽板にイオンビームを垂直に照射し、イオン照射を受けエッチングされる領域と、遮蔽板で遮断される領域の境界に沿って断面を形成させる試料作製装置です。操作パネルにて試料加工状態を観察できます。
イオン加速電圧 | 2 ~ 6kV |
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イオンビーム径半値幅 | 500μm(加速電圧:6kV、試料:Si) |
ミリングスピード | 100μm/H以上(2時間の平均値、加速電圧:6kV、試料:Si、エッジ距離:100μm) |
最大搭載試料サイズ | 幅11mm×長さ10mm×厚さ2mm |
常温・凍結切片作製用 ウルトラミクロトーム Leica EM UC7

常温・凍結切片作製用
ウルトラミクロトームは、光学顕微鏡(LM)、電子顕微鏡(EM)、および原子間力顕微鏡(AFM)の観察で要求される高品質な超薄切片の作製、高い面精度の断面作製に活用できます。